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N型、P型、半絕緣型砷化鎵（GaAs）半導(dǎo)體襯底晶片

	價(jià)格：\u9762\u8bae 元(人民幣)	產(chǎn)地：福建廈門
	最少起訂量：1	發(fā)貨地：福建廈門
	上架時(shí)間：2024-09-22 13:11:44	瀏覽量：51
	廈門中芯晶研半導(dǎo)體有限公司
	經(jīng)營模式：	公司類型：
	所屬行業(yè)：分立半導(dǎo)體	主要客戶：
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產(chǎn)品參數(shù)
品牌	中芯晶研
批號(hào)	最新
封裝	單片包裝
包裝	盒裝
數(shù)量	10
晶向	（100）、（111）
晶格常數(shù)	5.6419A
帶隙	1.4eV
可售賣地區(qū)	全國
可售賣地	全國
用途	半導(dǎo)體器件應(yīng)用
型號(hào)	N、P、半絕緣型

砷化鎵（GaAs）是一種由鎵和砷元素構(gòu)成的重要的直接帶隙半導(dǎo)體材料，屬于III-V族化合物半導(dǎo)體，閃鋅礦晶格結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)為5.6419A，熔點(diǎn)為1237°C，帶隙為1.4eV。砷化鎵半導(dǎo)體材料通常用于外延生長(zhǎng)其他III-V半導(dǎo)體材料，包括砷化銦鎵（InGaAs），砷化鋁鎵（AlGaAs）等。可提供砷化鎵單晶及襯底片，砷化鎵襯底晶片參數(shù)如下：

1. 砷化鎵襯底規(guī)格參數(shù)

2. 砷化鎵晶片用途

砷化鎵襯底可用于制造微波頻率集成電路，單片微波集成電路，紅外發(fā)光二極管（LED），激光二極管（LD），太陽能電池和光學(xué)窗口等設(shè)備。
此外，砷化鎵可以制成半絕緣高電阻材料，可用于制造紅外探測(cè)器、伽馬光子探測(cè)器等。由于其電子遷移率是硅的5到6倍，因此半絕緣砷化鎵晶圓在微波器件和高速數(shù)字電路的制造中得到了重要應(yīng)用。砷化鎵半導(dǎo)體器件具有高頻、高溫、低溫性能、低噪聲、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，使砷化鎵襯底晶片市場(chǎng)需求不斷擴(kuò)大。

更多砷化鎵襯底材料產(chǎn)品信息或疑問請(qǐng)郵件咨詢：vp@honestgroup.cn

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