| N型、P型、半絕緣型磷化銦（InP）化合物半導(dǎo)體襯底片 |
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價(jià)格：\u9762\u8bae 元(人民幣) | 產(chǎn)地：福建廈門(mén) |
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廈門(mén)中芯晶研半導(dǎo)體有限公司
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磷化銦（InP）是由銦和磷組成的二元半導(dǎo)體。它具有閃鋅礦型晶體結(jié)構(gòu)，與GaAs和大多數(shù)III-V半導(dǎo)體相同。磷化銦可以通過(guò)白磷和碘化銦在400℃下的反應(yīng)制備，也可以通過(guò)在高溫和高壓下直接組合純化的元素，或通過(guò)三烷基銦化合物和膦的混合物的熱分解來(lái)制備。可提供2”, 3”, 4”磷化銦晶片，具體參數(shù)以2寸的為例： .jpg)
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