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單面或雙面拋光N型、P型砷化銦(InAs)半導體晶片
單面或雙面拋光N型、P型砷化銦(InAs)半導體晶片 價格:\u9762\u8bae  元(人民幣) 產地:福建廈門
最少起訂量:1 發貨地:福建廈門
上架時間:2024-04-17 13:20:08 瀏覽量:55
廈門中芯晶研半導體有限公司  
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所屬行業:分立半導體 主要客戶:
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詳細介紹

產品參數
品牌中芯晶研
批號最新
封裝單片包裝
包裝盒裝
數量10
晶向(111)、(110)
直徑2、3、4英寸
應用半導體器件
可售賣地區全國
可售賣地全國
型號N型、P型

砷化銦(InAs)是一種由銦和砷組成的直接躍遷半導體,類似于砷化鎵,其禁帶寬度為0.45eV(300K)。其外觀為灰色立方晶體,熔點為942°C,晶格常數為0.6058nm,砷化銦晶體結構為閃鋅礦結構。砷化銦以其高電子遷移率和窄能帶隙而眾所周知,被廣泛用作太赫茲輻射源。
可供N型和P型半導體砷化銦晶片,規格參數如下:

1. 砷化銦單晶片規格



2. InAs晶片應用
InAs單晶具有高電子遷移率,是制造霍爾器件的理想材料。此外,InAs晶片的發射波長為3.34μm,在InAs襯底上可以生長晶格匹配的InGaAsSb、InAsPSb和InAsSb多外延材料,以制造2~4μm波段的光纖通信激光器和探測器。

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