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可供常規碳化硅（SiC）外延片與定制結構外延片，包括同質外延與異質外延，用于碳化硅器件的開發。我們通常使用化學氣相沉積（CVD）方法在碳化硅襯底上沉積一層單晶或多層單晶薄膜以形成外延晶片。其中，碳化硅同質外延片是通過在導電碳化硅襯底上生長碳化硅外延層來制備的，進一步制成功率器件。具體可參考下方所列碳化硅外延片規格，該外延片可用于制備MOS電容器：

1. 碳化硅外延片參數表

2. 為什么我們需要碳化硅基底外延片？
外延是整個半導體產業流程中的一個重要過程。由于器件不能直接在碳化硅單晶材料上制造，且幾乎是通過外延生長獲得的，碳化硅外延片的質量將對器件的性能產生很大影響。此外，外延層處于整個半導體工藝的中間位置，這在很大程度上受到晶體和襯底工藝的影響。總之，碳化硅外延工藝在器件的制備中起著重要作用。
隨著碳化硅功率器件制造要求和耐壓水平的提高，碳化硅外延片發展方向繼續朝著低缺陷、厚外延生產。近年來，薄碳化硅外延材料（＜20μm）的質量不斷提高。外延材料中的微管缺陷已經被消除。然而，SiC外延缺陷，如跌落、三角形、胡蘿卜狀、螺旋位錯、基面位錯、深能級缺陷等，成為影響器件性能的主要因素。隨著碳化硅外延片工藝流程的發展，外延層的厚度從過去的幾微米和幾十微米發展到現在的幾十微米和幾百微米。其中，20um及以下的外延技術成熟度較高。表面缺陷密度降低到小于1/cm2，位錯密度從105/cm2降低到103/cm2，基面位錯轉化率接近100，基本滿足外延材料大規模生產SiC器件的要求。

3. 碳化硅外延片的應用領域
SiC外延晶片主要用于制造600V~3300V功率器件，包括SBD、JBS、PIN、MOSFET、JFET、BJT、GTO、IGBT等，應用于射頻（如：5G通信、雷達）、新能源汽車、固態光源等領域。

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