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4英寸熱氧化工藝單晶硅片,氧化硅片襯底晶圓,氧化層厚度定制
4英寸熱氧化工藝單晶硅片,氧化硅片襯底晶圓,氧化層厚度定制 價格:200.00  元(人民幣) 產地:江蘇無錫
最少起訂量:1 發(fā)貨地:江蘇無錫
上架時間:2023-12-12 09:25:37 瀏覽量:64
江陰皓睿光電新材料有限公司  
經營模式:生產加工 公司類型:私營有限責任公司
所屬行業(yè):光電子器件 主要客戶:科研院所
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聯(lián)系方式

聯(lián)系人:吳明博 (先生) 手機:13961650381
電話: 傳真:
郵箱:derry@helioswafer.com 地址:江蘇省無錫市江陰市果園路12號

詳細介紹

產品參數(shù)
品牌皓睿光電
尺寸4英寸100mm
氧化單面、雙面氧化
氧化層厚20-1000nm
拋光單面、雙面拋光
晶向100
導電類型P型
可售賣地全國
材質單晶硅



單晶硅片規(guī)格書

材質:CZ法單晶硅/FZ區(qū)熔單晶硅
直徑:50.8mm(2英寸),100mm(4英寸)
晶向:
導電類型:P型
拋光:單面拋光,雙面拋光
氧化:單面氧化,雙面氧化
拋光面粗糙度:氧化層:20nm-1000nm
TTV≤10 um
包裝:25片/盒卡塞裝



硅材料是目前主要的元素半導體材料,用于半導體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽能電池等領域,是電子工業(yè)的基礎材料。熱氧化是硅平面技術中一項重要的工藝,硅與含有氧化物質的氣體,如水汽和氧氣在高溫下進行化學反應,在硅片表面產生一層致密的二氧化硅(SiO2)絕緣薄膜,具有穩(wěn)定的化學性質,在集成電路制造中有廣泛的應用。





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