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賽福11VDC 9UF電網(wǎng)諧波處理設備自愈薄膜電容能夠在較長時間內(nèi)充電，而在較短時間內(nèi)放電，從而形成一個很大的脈沖功率。

???脈沖功率的獲取是靠已充電的脈沖電容器組，通過主電抗器短時振蕩放電獲得的，而脈沖電容器組是在試驗前由功率不大的充電裝置，用較長的時間充電，振蕩放電為數(shù)十毫秒，從而大大增加了試驗功率與電源功率之比，改變了經(jīng)濟效率。

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主要特點：

·功耗低，適宜于大功率、大電流、高耐壓、高浪涌應用；

·具有較好的容量和體積性能比

·隨溫度變化小，使用時間加長；

·反峰電壓可達較高；

·高儲能,耐高脈沖電流能力；

·自恢復特性好；

·低電感,低ESR；

·外殼材料為不銹鋼或冷軋板、安裝方便 。

主要產(chǎn)品參數(shù)：

·容量范圍：C=1μF～6μF；

·容量偏差：一般±5，根據(jù)要求可以定制；

·額定電壓：Un=1KV～5KV；

·等效串聯(lián)電阻：ESR≤5mΩ

·反峰電壓可達8以上；

·充放電次數(shù)：可達2，，次；

·損耗角正切：tgδ≤.2（1Hz）；

·使用環(huán)境溫度寬：-4℃～ 75℃；

·使用標準：JB/T8168 或客戶要求。

該電容器應用于充磁機、退磁機，激光電源，儲能焊接機等；直流高壓設備、整流濾波裝置振蕩回路、

連續(xù)脈沖裝置，沖擊電壓發(fā)生器、沖擊電流發(fā)生器、沖擊分壓器及其他非連續(xù)脈沖裝置。

?

?主要產(chǎn)品規(guī)格：?

產(chǎn)品型號

電壓（KV）

容量（μF）

MFO(D)1K17

1.

1

MFO(D)1K27

1.

2

MFO(D)1K57

1.

5

MFO(D)1K256

1.2

5

MFO(D)1K217

1.2

1

MFO(D)1K227

1.2

2

MFO(D)1K556

1.5

5

MFO(D)1K517

1.5

1

MFO(D)1K5157

1.5

15

MFO(D)1K626

1.6

2

MFO(D)1K656

1.6

5

MFO(D)1K617

1.6

1

MFO(D)1K6157

1.6

15

MFO(D)2K26

2.

2

MFO(D)2K56

2.

5

MFO(D)2K17

2.

1

MFO(D)2K256

2.2

5

MFO(D)2K217

2.2

1

MFO(D)2K526

2.5

2

MFO(D)2K556

2.5

5

MFO(D)3K26

3.

2

MFO(D)3K56

3.

5

MFO(D)4K26

4.

2

MFO(D)4K56

4.

5

MFO(D)4K526

4.5

2

MFO(D)4K556

4.5

5

MFO(D)5K26

5.

2

MFO(D)5K56

5.

5

以上數(shù)據(jù)僅供參考，根據(jù)用戶要求，我們可以設計、制造其它規(guī)格要求的脈沖電容器。

公司擁有大型高真空鍍膜機6臺、智能化分切機18臺、自動化卷繞機8臺、真空油處理系統(tǒng)、真空高壓測試臺、交流測試臺等設備，建立了電容器用金屬化薄膜和薄膜電容器生產(chǎn)線。