| 單面或雙面拋光N型、P型砷化銦(InAs）半導(dǎo)體晶片 |
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價(jià)格：\u9762\u8bae 元(人民幣) | 產(chǎn)地：福建廈門 |
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廈門中芯晶研半導(dǎo)體有限公司
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砷化銦（InAs）是一種由銦和砷組成的直接躍遷半導(dǎo)體，類似于砷化鎵，其禁帶寬度為0.45eV（300K）。其外觀為灰色立方晶體，熔點(diǎn)為942°C，晶格常數(shù)為0.6058nm，砷化銦晶體結(jié)構(gòu)為閃鋅礦結(jié)構(gòu)。砷化銦以其高電子遷移率和窄能帶隙而眾所周知，被廣泛用作太赫茲輻射源。 .jpg) 2. InAs晶片應(yīng)用 .jpg) .jpg) .jpg) .jpg) .jpg)
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