| 產品參數 | | 加工定制 | 是 | | 產地 | 北京 | | 公差 | 0.01 | | 形狀 | 矩形 | | 表面處理 | 不經處理 | | 厚度 | 不經處理 | | 適用范圍 | 不經處理 | | 重量 | 不經處理 | | 可售賣地 | 全國 | |
| 貨號 | CAS號 | 編號 | 包裝 | 參數 | 庫存 | 補貨期 | 價格 | | BKTMDC123035-01 | BKTMDC123035 |
| 單層三角單晶晶粒 | 100 |
| 1400 | | BKTMDC123035-02 | BKTMDC123035 |
| 單層連續薄膜 | 100 |
| 1400 | | BKTMDC123035-03 | BKTMDC123035 |
| 多層連續薄膜 | 100 |
| 1400 |
目前最大尺寸4英寸圓片，更大尺寸（8，12英寸）即將面市。
無摻雜二硫化鉬是層狀N型半導體，屬于過渡金屬二硫族化合物，塊狀能帶間隙為1.23eV （間接帶隙），單層MoS2帶隙~1.85eV（直接帶隙）。化學氣相沉積法， Chemical Vapor Deposition （CVD）MoS2薄膜分為多種：
1） 單層離散分布的三角狀單晶晶粒，三角邊長一般是幾十至一百微米。
2） 由三角晶粒繼續長大連在一起的單層連續薄膜。
3） 多層MoS2 連續薄膜。
4） 基底：MoS2可選基底較多，其中最常用的硅片基底、帶氧化層硅片基底和藍寶石基底為直接沉積產品。其他基底例如PET，PI，ITO，FTO，玻璃，金屬基底等是通過在藍寶石上生長后轉移至客戶所需基底。應用領域： 包裝及規格 典型客戶包括： 單層MoS2孤立晶粒 單層MoS2連續薄膜 AFM data of MoS2 Raman shift of MoS2
 二氧化硅/硅基底二硫化鉬薄膜
 藍寶石基底二硫化鉬薄膜
單層MoS2 多層MoS2  span font-size:medium;background-color:#fafafa;"="" style="margin-top: 0px; margin-bottom: 0px; color: rgb(0, 0, 0);"
|
在線咨詢 
