類別 分立半導體產品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 U-MOSVIII-H 包裝 卷帶（TR） 剪切帶（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷帶 零件狀態 在售 FET 類型 N 通道 技術 MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss） 80 V 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 60A（Tc） 驅動電壓（Rds On，最小 Rds On） 10V 不同 Id、Vgs 時導通電阻（值） 4 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時 Vgs(th)（值） 4V @ 1mA 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（值） 59 nC @ 10 V Vgs（值） ±20V 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（值） 5300 pF @ 40 V FET 功能 - 功率耗散（值） 1.6W（Ta），78W（Tc） 工作溫度 150°C（TJ） 安裝類型 表面貼裝型 供應商器件封裝 8-SOP Advance（5x5） 封裝/外殼 8-PowerVDFN