聚氯乙烯絕緣和護(hù)套低頻通信電纜HPVVP產(chǎn)品用途
小店礦用屏蔽雙絞線MHYVRP2*2*7/0.43本產(chǎn)品適用于以下場(chǎng)合作短距離配線：一級(jí)配線、二級(jí)配線，并與分線設(shè)備相連;引入建筑物內(nèi)的各分支電纜，即屋內(nèi)配線電纜;沿建筑物墻壁敷設(shè)的電纜，即墻壁配線電纜;架空用配線電纜。
結(jié)構(gòu)型式
1、芯線元件的絕緣厚度：參照GB11327.2-89局用電纜規(guī)定。
2、纜芯組成的絞合形式有：
a.纜芯由若干單位絞合而成，或由若干基本單位直接絞合而成。纜芯的推薦結(jié)構(gòu)見(jiàn)表2。
b.單位由若干基本單位或子單位絞合而成。單位分為兩種：50對(duì)單位和100對(duì)單位。
c.單位由若干對(duì)線組絞合而成。基本單位分為兩種：10對(duì)基本單位和25對(duì)基本單位。
d.必要時(shí)，可將若干對(duì)線組絞合成等效于一個(gè)基本單位的若干子單位（扎帶（絲）顏色均與所代替的基本單位相同），再將這些子單位絞合成單位或纜芯。
一．小店礦用屏蔽雙絞線MHYVRP2*2*7/0.43聚氯乙烯絕緣和護(hù)套低頻通信電纜HPVVP
適用范圍
本產(chǎn)品用于線路的始端和終端，供聯(lián)接市內(nèi)電話電纜至分線箱或配線架之用。也可作短距離布線。
二．小店礦用屏蔽雙絞線MHYVRP2*2*7/0.43聚氯乙烯絕緣和護(hù)套低頻通信電纜HPVVP使用特性
電纜使用溫度為-10℃～50℃，電纜安裝敷設(shè)時(shí)的環(huán)境溫度應(yīng)不低于0℃。彎曲半徑不小于電纜外徑的10倍。
三．小店礦用屏蔽雙絞線MHYVRP2*2*7/0.43聚氯乙烯絕緣和護(hù)套低頻通信電纜HPVVP產(chǎn)品型號(hào)、名稱
聚氯乙烯絕緣和護(hù)套低頻通信電纜HPVVP
四．聚氯乙烯絕緣和護(hù)套低頻通信電纜HPVVP使用條件：
沿建筑物墻壁敷設(shè)或架空敷設(shè)。
五．聚氯乙烯絕緣和護(hù)套低頻通信電纜HPVVP產(chǎn)品結(jié)構(gòu)示意圖
1. 對(duì)絞絕緣線芯2.聚酯薄膜3.鋁箔4. 銅網(wǎng)屏蔽5.護(hù)套
六．聚氯乙烯絕緣和護(hù)套低頻通信電纜HPVVP規(guī)格范圍
型號(hào)：HPVV
導(dǎo)體直徑：0.5
標(biāo)稱對(duì)數(shù)：5、10、15、20、25、30、40、50、80、100、150、200
備注：電纜允許增加預(yù)備線對(duì)，其數(shù)量不超過(guò)電纜標(biāo)稱對(duì)數(shù)的1%，其各項(xiàng)要求與一般線對(duì)相同。出廠時(shí)合格對(duì)數(shù)不應(yīng)小于標(biāo)稱對(duì)數(shù)。
七．小店礦用屏蔽雙絞線MHYVRP2*2*7/0.43配線電纜HPVV規(guī)格尺寸及重量
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規(guī)格 |
導(dǎo)體直徑 Mm |
對(duì)數(shù) |
電纜計(jì)算外徑 Mm |
計(jì)算重量 Kg/km |
|
5×2×0.5 |
0.5 |
5 |
8.35 |
78 |
|
10×2×0.5 |
10 |
10.72 |
124 |
|
|
15×2×0.5 |
15 |
12.99 |
188 |
|
|
20×2×0.5 |
20 |
13.54 |
222 |
|
|
25×2×0.5 |
25 |
15.64 |
270 |
|
|
32×2×0.5 |
32 |
16.3 |
320 |
|
|
40×2×0.5 |
40 |
17.18 |
372 |
|
|
50×2×0.5 |
50 |
19.75 |
454 |
|
|
80×2×0.5 |
80 |
24.39 |
715 |
|
|
100×2×0.5 |
100 |
27.28 |
864 |
|
|
150×2×0.5 |
150 |
31.67 |
909 |
|
|
200×2×0.5 |
200 |
35.31 |
1540 |
八．聚氯乙烯絕緣和護(hù)套低頻通信電纜HPVVP主要技術(shù)性能
1.20℃時(shí)導(dǎo)線直流電阻不大于95.0Ω/km
2.20℃時(shí)絕緣電阻不小于60MΩ﹒km
3.耐壓試驗(yàn)交流電壓500V 50Hz，2min不擊穿。
九．聚氯乙烯絕緣和護(hù)套低頻通信電纜HPVVP交貨規(guī)定：電纜制造長(zhǎng)度應(yīng)不小于200m。在雙方同意下允許以任何長(zhǎng)度的電纜交貨。
到這里就很清楚了，無(wú)論是低阻態(tài)還是高阻態(tài)都是相對(duì)來(lái)說(shuō)的，把下管子置于截止?fàn)顟B(tài)就可以把GND和I/O口隔離達(dá)到開(kāi)路的狀態(tài)，這時(shí)候推挽一對(duì)管子是截止?fàn)顟B(tài)，忽略讀取邏輯的話I/O口引腳相當(dāng)于與單片機(jī)內(nèi)部電路開(kāi)路，考慮到實(shí)際MOS截止時(shí)會(huì)有少許漏電流，就稱作“高阻態(tài)”。由于管子PN節(jié)帶來(lái)的結(jié)電容的影響，有的資料也會(huì)稱作“浮空”，通過(guò)I/O口給電容充電需要一定的時(shí)間，那么IO引腳處的對(duì)地的真實(shí)電壓和水面浮標(biāo)隨波飄動(dòng)類似了，電壓的大小不僅與外界輸入有關(guān)還和時(shí)間有關(guān)，在高頻情況下這種現(xiàn)象是不能忽略的。