富士通MB85RC64TA芯片下單快捷
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李李咨詢：17321036723
富士通/fujitsu FRAM存儲器 IC芯片
FRAM(鐵電RAM)是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲器。FRAM不需要備用電池來保留數(shù)據(jù)，并且具有更高的讀/寫耐久性，更快的寫入速度操作和更低的功耗。
我們量產(chǎn)的FRAM產(chǎn)品已交付給工業(yè)市場超過21年。因此，F(xiàn)RAM是具有成熟制造經(jīng)驗的高性能和高度可靠的存儲器。介紹富士通FRAM存儲芯片512Kx8位SPI MB85RS4MTY.
MB85RS4MTY描述
MB85RS4MTY是一款524,288字x8位配置的FRAM (鐵電隨機存取存儲器)芯片，采用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲單元。
本產(chǎn)品針對高溫環(huán)境應(yīng)用。MB85RS4MTY采用串行外設(shè)接口 (SPI) 。
MB85RS4MTY無需使用后備電池即可保存數(shù)據(jù)，這是SRAM所需要的。MB85RS4MTY中使用的存儲單元可用于1013次讀/寫操作，
這是對讀寫次數(shù)的重大改進(jìn)Flash存儲器和E2PROM支持的操作。
由于MB85RS4MTY在寫入過程中不需要任何等待時間，因此MB85RS4MTY的寫入周期比Flash或E2PROM短很多。
MB85RS4MTY特點
位配置: 524,288字x8位
·串行扇區(qū)區(qū)域: 256字x8位
在該區(qū)域中，保證了基于JEDECMSL-3標(biāo)準(zhǔn)條件(通過)3次回流后的數(shù)據(jù)存儲
唯一身份
序列號: 64位
在該區(qū)域中，保證了基于JEDECMSL-3標(biāo)準(zhǔn)條件(通過)3次回流后的數(shù)據(jù)存儲串行外設(shè)接口: SPI (串行外設(shè)接口) 對應(yīng)于SPI模式0(0,0)和模式3(1,1)
工作頻率: 50MHz (最大)
高耐久性: 1013次/字節(jié)
·數(shù)據(jù)保留: 10年(+85°C)
2.75年(+105°C)
0.85年(+125°C)或更長
在評估超過2.5年(+125°C)
。工作電源電壓: 1.8V至3.6V
低功耗: 工作電源電流4mA(Max@50MHz
待機電流350uA (最大)
深度掉電電流30uA (最大)
休眠電流14uA(最大)
工作環(huán)境溫度范圍: -40°C至+125°C
封裝: 8-pin塑料SOP208mil、8針?biāo)芰螪FN 5mmx6mm符合RoHS
多年來，F(xiàn)UJTSU一直以來傾注于提供高質(zhì)量和高性能的存儲器，這對于那些增強型的數(shù)字應(yīng)用而言必不可少。
近年來，除了提供更高密度，更高性能和更低功耗的存儲產(chǎn)品外，為客戶的應(yīng)用提供了的解決方案。
MB85RS2MLY
MB85RS2MTA
MB85RS1MT
MB85RS1MT
MB85RS512T
MB85RS256TY
MB85RS256B
MB85RS128TY
MB85RS128B
MB85RS64VY
MB85RS64TU
MB85RS64T - -
MB85RS64V
MB85RS64
MB85RS16
MB85RS16N
MB85RDP16LX
MB85RC1MT
MB85RC512T
MB85RC256V
MB85RC128A
MB85RC64TA
MB85RC64A
MB85RC64V
MB85RC16
MB85RC16V
MB85RC04
MB85RC04V
MB85R8M1TA
MB85R8M2TA
MB85R8M2T
MB85R4M2T
MB85R4001A
MB85R4002A
MB85R1001A
MB85R1002A
MB85R256F
MB85AS12MT
MB85AS8MT
