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1.IGBT結構和工作原理
將IGBT結構簡化為等效電路，可以看出是雙極性晶體管和MOSFET組成的達林頓結構，等效為一個由MOSFET驅動的厚基區PNP晶體管。元件的開通和關斷由柵極和發射極之間的電壓決定，當電壓大于開啟電壓之后MOSFET內形成溝道，并為晶體管提供基極電流從而使IGBT導通。
當柵極和發射極之間施加反向電壓或者不施加信號后，MOSFET內部溝道消失，晶體管的基極電流被切斷，IGBT關斷。