3MBI50SX-120-02富士通fujitsu芯片樣本資料
發布者：mqauto 發布時間：2022-12-08 15:02:44
3MBI50SX-120-02富士通fujitsu芯片樣本資料
富士通/fujitsu FRAM存儲器 IC芯片 咨詢電話;17321036723
FRAM(鐵電RAM)是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲器。FRAM不需要備用電池來保留數據，并且具有更高的讀/寫耐久性，更快的寫入速度操作和更低的功耗。
我們量產的FRAM產品已交付給工業市場超過21年。因此，FRAM是具有成熟制造經驗的高性能和高度可靠的存儲器。介紹富士通FRAM存儲芯片512Kx8位SPI MB85RS4MTY.
MB85RS4MTY描述
MB85RS4MTY是一款524,288字x8位配置的FRAM (鐵電隨機存取存儲器)芯片，采用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術形成非易失性存儲單元。
本產品針對高溫環境應用。MB85RS4MTY采用串行外設接口 (SPI) 。
MB85RS4MTY無需使用后備電池即可保存數據，這是SRAM所需要的。MB85RS4MTY中使用的存儲單元可用于1013次讀/寫操作，
這是對讀寫次數的重大改進Flash存儲器和E2PROM支持的操作。
由于MB85RS4MTY在寫入過程中不需要任何等待時間，因此MB85RS4MTY的寫入周期比Flash或E2PROM短很多。
MB85RS4MTY特點
位配置: 524,288字x8位
·串行扇區區域: 256字x8位
在該區域中，保證了基于JEDECMSL-3標準條件(通過)3次回流后的數據存儲
唯一身份
序列號: 64位
在該區域中，保證了基于JEDECMSL-3標準條件(通過)3次回流后的數據存儲串行外設接口: SPI (串行外設接口) 對應于SPI模式0(0,0)和模式3(1,1)
工作頻率: 50MHz (大)
高耐久性: 1013次/字節
·數據保留: 10年(+85°C)
2.75年(+105°C)
0.85年(+125°C)或更長
在評估超過2.5年(+125°C)
。
工作電源電壓: 1.8V至3.6V
低功耗: 工作電源電流4mA(Max@50MHz
待機電流350uA (最大)
深度掉電電流30uA (最大)
休眠電流14uA(最大)
工作環境溫度范圍: -40°C至+125°C
封裝: 8-pin塑料SOP208mil、8針塑料DFN 5mmx6mm符合RoHS
多年來，FUJTSU一直以來傾注于提供高質量和高性能的存儲器，這對于那些增強型的數字應用而言必不可少。
近年來，除了提供更高密度，更高性能和更低功耗的存儲產品外，為客戶的應用提供了的解決方案。
MB96345YSAPQC-GSE2
MB96345YWAPMC-GSE2
MB96345YWAPQC-GSE2
MB39A116
MB15E04PFV1-G-BND-ER
3MBI50SX-120-02
D5CF-881M50-D1F1-V
MB89255A/B
6MBP150RTS120
MB8279RT-20
6MBI60FA-060
6MBP25RC120
MB8843M-G-196L
MB89166PF-G-244
6MBP30RY060
MBM29DL324BD-90TN
MBM29F400TA90PFFJ
MBM29F200TC-90PFTN
88346L
74F1071
MB15F78ULPVA
MB85RS4MTY
MB85RS4MLY
MB85RS2MTY
MB85RS2MLY
MB85RS256TYA -
MB85RS256TY
MB85RS128TY
MB85RS64VY
MB85RQ8MX
MB85RQ8MLX
MB85RS4MTY
MB85RS4MLY
MB85RS4MT
MB85RQ4ML
MB85RS2MTY
MB85RS2MLY
MB85RS2MTA
MB85RS1MT
MB85RS1MT
MB85RS512T
MB85RS256TY
MB85RS256B
MB85RS128TY
MB85RS128B
MB85RS64VY
MB85RS64TU
MB85RS64T - -
MB85RS64V
MB85RS64
MB85RS16
MB85RS16N
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MB85RC1MT
MB85RC512T
MB85RC256V
MB85RC128A
MB85RC64TA
MB85RC64A
MB85RC64V
MB85RC16
MB85RC16V
MB85RC04
MB85RC04V
MB85R8M1TA
MB85R8M2TA
MB85R8M2T
MB85R4M2T
MB85R4001A
MB85R4002A
MB85R1001A
MB85R1002A
MB85R256F
MB85AS12MT
MB85AS8MT
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