芯片基本介紹
ME8109BD8G主要針對適配器、充電器、開板電源、家電類、輔助電源而設計的一款高性能控制芯片。
ME8109BD8G內(nèi)部集成了一個脈寬調(diào)制控制器和一個 650V（600V） 的高壓功率 MOSFET。
ME8109BD8G的啟動電流很低，電流模式脈寬調(diào)制使得在輕載時工作在節(jié)能模式。這些特性保證了電源能輕松達到最嚴苛的能源法規(guī)要求。
ME8109BD8G的集成功能包括電流檢測的前沿消隱，內(nèi)部斜率補償，逐周期峰值電流限制和軟啟動。 另外，在誤動作時，過流保護(OCP)，過壓保護
(OVP) 和過載保護 (OLP) 、OTP能為芯片提供充分的保護。總之，ME8109BD8G擁有更好的特性和更低的電源成本.
ME8109BD8G主要特點如下：
1)低待機功耗：通過低功耗間歇工作模式設計，達到小于 100mW超低耗的性能。
2)無噪聲工作：優(yōu)化的芯片設計可以使系統(tǒng)任何工作狀態(tài)下均可安靜地工作，系統(tǒng)最小工作頻率控制在 22K左右。
3)更低啟動電流：VDD啟動電流低至 5uA，可有效地減少系統(tǒng)啟動電路的損耗，縮短系統(tǒng)的啟動時間。
4)更低工作電流：工作電流約為 1.8mA， 可有效降低系統(tǒng)的損耗,提高系統(tǒng)的效率。
5)內(nèi)置前沿消隱：內(nèi)置 220nS前沿消隱（LEB），降低系統(tǒng)成本。
6)內(nèi)置良好的 OCP 補償：內(nèi)置了 OCP 補償功能，使系統(tǒng)在不需要增加成本的情況下輕易使得全電壓范圍內(nèi)系統(tǒng)的 OCP曲線趨向平坦， 提高系統(tǒng)的性價比。
7)完善的保護功能：集成了完善的保護功能模塊。OVP，UVLO，OCP，OTP、恒定的 OPP可以使系統(tǒng)設計簡潔可靠，同時滿足安規(guī)的要求。
8)軟啟動功能：內(nèi)置 4mS軟啟動功能,可有效降低系統(tǒng)開機 MOS管漏源之間電壓過沖。
9)較少的外圍器件：外圍比較簡單，可有效提高系統(tǒng)的功率密度，降低系統(tǒng)的成本。
10）優(yōu)良的 EMI 特性： 內(nèi)置的頻率抖動設計可以很有效的改善系統(tǒng)的 EMI 特性，同時可以降低系統(tǒng)的 EMI 成本。
