
1、靈敏度 當氫氣濃度較低時,氫氣敏MOSFET靈敏度很高,1ppm氫氣濃度變化,△UT的值可達到10mV,當氫氣濃度較高時,傳感器的靈敏度會降低。 2、對氣體選擇性 鈀原子間的“空隙”恰好能讓氫原子通過,因此,鈀柵只允許氫氣通過,有很好的選擇性。 3、響應時間 這種器件的響應時間受溫度、氫氣濃度的影響,一般溫度越高,氫氣濃度越高,響應越快,常溫下的響應時間為幾十秒。
ZrO2加入穩(wěn)定劑后在l800℃氣氛下燒結,其中一部分鋯離子就會被鈣離子替代,生成(ZrO·CaO)。由于Ca2+是正二價離子,Zr4+是正四價離子,為繼續(xù)保持電中性,會在晶體內產(chǎn)生氧離子O2-空穴,這是(ZrO·CaO)在高溫下傳遞氧離子的原因,結果是(ZrO·CaO)在300~800℃成為氧離子的導體。但要真正能夠傳遞氧離子還必須在固體電解質兩邊有不同的氧分壓(氧位差),形成所渭的濃差電池。其結構原理如圖所示,兩邊是多孔的貴金屬電極,與中間致密的ZrO·CaO材料制成夾層結構。
根據(jù)單一的紅外吸收峰位置只能判定氣體分子中有什么基團,精確判定氣體種類需要看氣體在中紅外區(qū)所有的吸收峰位置即氣體的紅外吸收指紋。但在已知環(huán)境條件下,根據(jù)單一紅外吸收峰的位置可以大致判定氣體的種類。由于在零下273攝氏度即絕對零度以上的一切物質都會產(chǎn)生紅外幅射,紅外幅射與溫度正相關,因此,同催化元件一樣,為消除環(huán)境溫度變化引起的紅外幅射的變化,紅外氣體傳感器中會由一對紅外探測器構成。 一個完整的紅外氣體傳感器由紅外光源、光學腔體、紅外探測器和信號調理電路構成。