氣體傳感器闡述

半導體氣體傳感器可分為電阻型和非電阻型(結型、MOSFET型、電容型)。電阻型氣敏器件的原理是氣體分子引起敏感材料電阻的變化；非電阻型氣敏器件主要有M()s二極管和結型二極管以及場效應管(M()SFET)，它利用了敏感氣體會改變MOSFET開啟電壓的原理，其原理結構與ISFET離子敏傳感器件相同。

氣體傳感器種類

在SnO2材料內摻雜是改善傳感器選擇性的主要方法，添加Pt、Pd、Ir等貴金屬不僅能有效地提高元件的靈敏度和響應時間，而且，催化劑不同，導致不同的吸附傾向，從而改善選擇性。例如在SnO2氣敏材料中摻雜貴金屬Pt、Pd、Au可以提高對CH4的靈敏度，摻雜Ir可降低對CH4的靈敏度，摻雜Pt、Au提高對H2的靈敏度，摻雜Pd降低對H2的靈敏度。

氣體傳感器樣式

氣敏二極管的特性曲線左移可以看作二極管導通電壓發生改變，這一特性如果發生在場效應管的柵極，將使場效應管的閾值電壓UT改變。利用這一原理可以制成MOSFET型氣敏器件。

氫氣敏MOSFET是一種最典型的氣敏器件，它用金屬鈀(Pd)制成鈀柵。在含有氫氣的氣氛中，由于鈀的催化作用，氫氣分子分解成氫原子擴散到鈀與二氧化硅的界面，最終導致MOSFET的閾值電壓UT發生變化。使用時常將柵漏短接，可以保證MOSFET工作在飽和區，此時的漏極電流ID=β(UGS—UT)2，利用這一電路可以測出氫氣的濃度。