引言
輕小化是目前電源產品追求的目標。而提高開關頻率可以減小電感、電容等元件的體積。但是，開關頻率提高的瓶頸是器件的開關損耗，于是軟開關技術就應運而生。一般，要實現比較理想的軟開關效果，都需要有一個或一個以上的輔助開關為主開關創造軟開關的條件，同時希望輔助開關本身也能實現軟開關。
Boost電路作為一種最基本的DC/DC拓撲而廣泛應用于各種電源產品中。由于Boost電路只包含一個開關，所以，要實現軟開關往往要附加很多有源或無源的額外電路，增加了變換器的成本，降低了變換器的可靠性。
Boost電路除了有一個開關管外還有一個二極管。在較低壓輸出的場合，本身就希望用一個MOSFET來替換二極管階段1〔t0～t1〕該階段，S1導通，L上承受輸入電壓，L上的電流線性增加。在t1時刻，S1關斷，該階段結束。
2）階段2〔t1～t2〕S1關斷后，電感電流對S1的結電容進行充電，使S2的結電容進行放電，S2的漏源電壓可以近似認為線性下降，直到下降到零，該階段結束。
3）階段3〔t2～t3〕當S2的漏源電壓下降到零之后，S2的寄生二極管就導通，將S2的漏源電壓箝在零電壓狀態，也就是為S2的零電壓導通創造了條件。
4）階段4〔t3～t4〕S2的門極變為高電平，S2零電壓開通。電感L上的電流又流過S2。L上承受輸出電壓和輸入電壓之差，電流線性減小，直到S2關斷，該階段結束。
5）階段5〔t4～t5〕此時電感L上的電流方向仍然為正，所以該電流只能轉移到S2的寄生二極管上，而無法對S1的結電容進行放電。因此，S1是工作在硬開關狀態的。
接著S1導通，進入下一個周期。從以上的分析可以看到，S2實現了軟開關，但是S1并沒有實現軟開關。其原因是S2關斷后，電感上的電流方向是正的，無法使S1的結電容進行放電。但是，假如將L設計得足夠小，讓電感電流在S2關斷時為負的，如圖4所示，就可以對S1的結電容進行放電而實現S1的軟開關了。
在這種情況下，一個周期可以分為6個階段，各個階段的等效電路如圖5所示。其工作原理描述如下。
1）階段1〔t0～t1〕該階段，S1導通，L上承受輸入電壓，L上的電流正向線性增加，從負值變為正值。在t1時刻，S1關斷，該階段結束。
2）階段2〔t1～t2〕S1關斷后，電感電流為正，對S1的結電容進行充電，使S2的結電容放電，S2的漏源電壓可以近似認為線性下降。直到S2的漏源電壓下降到零，該階段結束。
3）階段3〔t2～t3〕當S2的漏源電壓下降到零之后，S2的寄生二極管就導通，將S2的漏源電壓箝在零電壓狀態，也就是為S2的零電壓導通創造了條件。
4）階段4〔t3～t4〕S2的門極變為高電平，S2零電壓開通。電感L上的電流又流過S2。L上承受輸出電壓和輸入電壓之差，電流線性？小，直到變為負值，然后S2關斷，該階段結束。
5）階段5〔t4～t5〕此時電感L上的電流方向為負，正好可以使S1的結電容進行放電，對S2的結電容進行充電。S1的漏源電壓可以近似認為線性下降。直到S1的漏源電壓下降到零，該階段結束。
6）階段6〔t5～t6〕當S1的漏源電壓下降到零之后，S1的寄生二極管就導通，將S1的漏源電壓箝在零電壓狀態，也就是為S1的零電壓導通創造了條件。
接著S1在零電壓條件下導通，進入下一個周期�？梢钥吹�，在這種方案下，兩個開關S1和S2都可以實現軟開關。
2 軟開關的參數設計
以上用同步整流加電感電流反向的辦法來實現Boost電路的軟開關，其中兩個開關實現軟開關的難易程度并不相同。電感電流的峰峰值可以表示為
ΔI＝/L （1）
式中：D為占空比；
T為開關周期。
所以，電感上電流的最大值和最小值可以表示為
Imax＝ΔI/2＋Io （2）
Imin＝ΔI/2－Io （3）
式中：Io為輸出電流。
將式（1）代入式（2）和式（3）可得
Imax＝/2L＋Io （4）
Imin＝/2L－Io （5）
從上面的原理分析中可以看到S1的軟開關條件是由Imin對S2的結電容充電，使S1的結電容放電實現的；而S2的軟開關條件是由Imax對S1的結電容充電，使S2的結電容放電實現的。另外，通常滿載情況下